集电系

林智

林智,副教授,博士,博士生导师,IEEE Member

Emaillinzhi@cqu.edu.cn

通信地址:重庆市沙坪坝区大学城南路55号信息楼A504401331

学术主页:https://www.researchgate.net/profile/Zhi-Lin-7

专业领域:功率半导体器件,功率集成芯片


个人简介

ž 2009年本科毕业于电子科技大学。

ž 201512月获得电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位,师从“中国功率器件领路人”陈星弼院士。

ž 20162月加入bat365在线平台官方网站集电系。


先后承担国家自然科学基金项目、省部级和横向科研项目10余项,在IEEE Transaction on Electron DeviceIEEE Electron Device Letters等学术期刊上发表40余篇研究论文,授权中国发明专利4项、美国发明专利1项。


招生信息

课题组近期研究方向:低阻高压SiC MOSFET开发及可靠性研究,SiC高温集成芯片研究,SiC MOSFET驱动芯片设计;超结MOSFET新结构及可靠性研究。课题组每年固定流片2-3次,为学生提供良好的锻炼机会。


招生方向

学术博士:信息与通信工程(081000

学术硕士:信息与通信工程(081000

专业硕士:电子信息(085400


热烈欢迎电子、电气和物理等相关专业学生加入课题组!


主持科研项目

[1]  国家自然科学基金面上项目(No. 62074020,在研)

[2]  重庆市自然科学基金面上项目(No. CSTB2022NSCQ-MSX1532,在研)

[3]  企业横向项目(No. H20240140,在研)

[4]  企业横向项目(No. H20220125,在研)


代表性论文

[1] W. Zeng, P. Li, Z. Lin, D. Wang, J. Guo, J. Jiang and S. Hu, "Study on the COSS Dynamic Loss of Superjunction MOSFETs in Quasi-Resonant Flyback Converters", IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70(8): 4303-4308.

[2] P. Li, J. Guo, S. Hu and Z. Lin, "A SiC Planar MOSFET with an Embedded MOS Channel Diode to Improve Reverse Conduction and Switching", Micromachines, 2023, 14(7): 1282.

[3] Z. Lin, W. Zeng and Z. Wang, "Hybrid Junction Termination Consisting of a Variation Lateral Doping Structure and a Spiral Polysilicon Resistive Field Plate", IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2022, 10: 313-317.

[4] Z. Wang, Z. Lin, W. Zeng, S. Hu and J. Zhou, "Comparison of Short-Circuit Safe Operating Areas Between the Conventional Field-Stop IGBT and the Superjunction Field-Stop IGBT", IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2022(10): 146-151.

[5] Z. Lin, W. Zeng, P. Li, S. Hu, J. Zhou and F. Tang, "Electrothermal Analysis of the Charge-Discharge Related Energy Loss of the Output Capacitance in OFF-State Superjunction MOSFETs", IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(9): 4582-4586.

[6] Z. Xu and Z. Lin, "Low-power current reference with temperature compensation by subthreshold leakage current", Microelectronics Journal, 2021(109): 104936.

[7] P. Li, J. Guo, Z. Lin, S. Hu, C. Shi and F. Tang, "A Low-Reverse-Recovery-Charge Superjunction MOSFET With P-Base and N-Pillar Schottky Contacts," IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67(4): 1693-1698.

[8] Z. Lin, J. Guo, Z. Wang, S. Hu, J. Zhou and F. Tang, "Novel Isolation Structure for High-Voltage Integrated Superjunction MOSFETs", IEEE Electron Device Letters, 2020, 41(1): 115-118.

[9] Z. Lin, "Study on the Intrinsic Origin of Output Capacitor Hysteresis in Advanced Superjunction MOSFETs", IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(8): 1297-1300.

[10] Z. Lin, Q. Yuan, S. Hu, X. Zhou, J. Zhou and F. Tang, "A Simulation Study of a Novel Superjunction MOSFET Embedded With an Ultrasoft Reverse-Recovery Body Diode", IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(5): 2333-2338.


发明专利

[1] Z. Lin, Q. Yuan, S. Han, S. Hu, J. Zhou, F. Tang, X. Zhou, HIGH-SPEED SUPERJUNCTION LATERAL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 专利号:US16/264654.

[2] 林智,袁琦,韩姝,胡盛东,周建林,唐枋,周喜川,一种有两种载流子导电的超结功率MOSFET,专利号:ZL201810137190.X.

[3] 林智,袁琦,韩姝,胡盛东,周建林,唐枋,周喜川,一种带软恢复体二极管的超结功率MOSFET, 专利号:ZL201810072735.3.

[4] 林智,袁琦,韩姝,胡盛东,周建林,唐枋,周喜川,一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管,专利号:ZL201810137194.8.

[5] 林智,王志皓,韩姝,李平,胡盛东,单片集成式半桥功率器件模块,申请号:CN201911168608.4.


教改项目

[1]  bat365在线平台官方网站教学改革研究项目(No. 2021Y29,主持,在研)

[2]  重庆市研究生教学改革研究项目(No. yjg203003,参与,在研)

[3]  教育部产学合作协同育人项目(No. 202102147002,参与,在研)

[4]  教育部产学合作协同育人项目(No. 202101279016,参与,在研)


教学科研奖励

[1]  重庆市科学技术奖科技进步奖二等奖,2021

[2]  bat365在线平台官方网站教学成果二等奖,2021

[3]  bat365在线平台官方网站第七届青年教师教学基本功比赛三等奖,2019













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